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三星宣布已量产3纳米芯片

发布时间:2022-06-30 13:45:49  来源:质流科技资讯    采编:佚名  背景:

2022年6月30日,作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布,基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT, 简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

 

​​相较三星5纳米(nm)而言,优化的3纳米(nm)工艺,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面积减少16%

 

​3nm GAA 技术采用了更宽通的纳米片,与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比。3nm GAA 技术上,三星能够调整纳米晶体管的通道宽度,优化功耗和性能,从而能够满足客户的多元需求。

 

三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”(简称: MBCFET™  Multi-Bridge-Channel FET)应用打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

​三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。

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